Silicon N-Channel MOS FET Part number 2SK1299 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. Below are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.03Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1500pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SK1299 MOSFET.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1299 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.03Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)
- **Rise Time (tr):** 20ns (typical)
- **Fall Time (tf):** 15ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

Silicon N-Channel MOS FET Part 2SK1299 is a semiconductor device manufactured by Hitachi (HIT). It is a Silicon N-channel Junction Field Effect Transistor (JFET). The key specifications for the 2SK1299 include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V
- **Gate-Source Voltage (VGS):** 40V
- **Drain Current (ID):** 30mA
- **Power Dissipation (PD):** 200mW
- **Gate-Source Cut-off Voltage (VGS(off)):** -0.5V to -6V
- **Input Capacitance (Ciss):** 8pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 3pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.5pF (typical)
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical) at 1kHz

These specifications are typical for the 2SK1299 JFET and are used in various low-noise amplifier applications.