SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE The part 2SK1290 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement mode silicon field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 12A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)

The transistor is packaged in a TO-220AB form factor, which is commonly used for power devices. It is suitable for applications such as power supplies, motor control, and other high-speed switching circuits.