N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING The part 2SK1272 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is an N-channel enhancement-mode silicon field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 12A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SK1272 MOSFET.