Silicon N-channel Power F-MOS FET The part 2SK1266 is a MOSFET transistor manufactured by Panasonic (松下). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits defined therein.

Silicon N-channel Power F-MOS FET The 2SK1266 is a MOSFET transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (typical)
- **Package**: TO-220F
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Panasonic for the 2SK1266 MOSFET.