2SK1265Manufacturer: Panasonic Silicon N-channel Power F-MOS FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
2SK1265 | Panasonic | 20 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon N-channel Power F-MOS FET **Introduction to the 2SK1265 MOSFET by Panasonic**  
The **2SK1265** is a high-performance N-channel power MOSFET developed by Panasonic, designed for efficient switching and amplification applications. This component is widely used in power supply circuits, motor control systems, and high-frequency inverters due to its low on-resistance and fast switching capabilities.   With a **drain-source voltage (VDSS)** rating of 500V and a **continuous drain current (ID)** of up to 10A, the 2SK1265 offers robust performance in demanding environments. Its low gate charge and high-speed switching characteristics make it suitable for high-efficiency power conversion applications.   The MOSFET features a **TO-220F package**, ensuring good thermal dissipation and mechanical stability. Its design minimizes power losses, enhancing overall system reliability. Engineers often select the 2SK1265 for its balance of voltage handling, current capacity, and switching efficiency.   For applications requiring dependable power management, the 2SK1265 provides a solid solution, backed by Panasonic’s reputation for quality and durability. Proper heat sinking and circuit design considerations are recommended to maximize performance and longevity.   This component remains a practical choice for industrial, automotive, and consumer electronics where efficient power control is essential. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips