Silicon N-Channel MOS FET The **2SK1254** is a high-power N-channel MOSFET designed for applications requiring efficient switching and robust performance. Known for its low on-resistance and high current-handling capabilities, this component is widely used in power supply circuits, motor control systems, and industrial automation.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of **500V** and a continuous drain current (I_D) of **20A**, the 2SK1254 is suitable for high-voltage environments. Its low gate charge and fast switching characteristics help minimize power losses, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, the MOSFET features a built-in fast recovery diode, enhancing its reliability in inductive load scenarios.  

The 2SK1254 is housed in a TO-3P package, ensuring effective heat dissipation under demanding conditions. Engineers often choose this component for its durability and stable performance in both switching and linear operation modes.  

When integrating the 2SK1254 into circuit designs, proper thermal management and gate drive considerations are essential to maximize efficiency and longevity. Its balance of power handling, speed, and ruggedness makes it a preferred choice for advanced power electronics applications.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1254 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. According to Ic-phoenix technical data files, the infrared (IR) specifications for this part are not explicitly provided in the available documentation. The datasheet for the 2SK1254 typically includes electrical characteristics, thermal properties, and mechanical dimensions, but specific IR-related specifications such as emissivity or IR wavelength sensitivity are not detailed. For precise IR specifications, it would be necessary to consult additional technical resources or contact the manufacturer directly.