Silicon N-Channel MOS FET The 2SK1170 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.3Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to 150°C

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.

Silicon N-Channel MOS FET The 2SK1170 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi (HIT). Here are the factual specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.3Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SK1170 MOSFET.