Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1169 is a field-effect transistor (FET) manufactured by HIT (Hitachi). Below are the factual specifications:

- **Type**: N-channel Junction Field-Effect Transistor (JFET)
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: -30V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4.5V
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on))**: 300Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SK1169 JFET.

Silicon N-Channel MOS FET Part number 2SK1169 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by HITACHI. Below are the specifications for this part:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 50pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 100ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 50ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 100ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and operating environment.