Silicon N Channel MOS FET The part 2SK1167 is a Field Effect Transistor (FET) manufactured by HITACHI. It is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 450V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 1.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.