Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1165 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi (HI). Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 150ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Silicon N-Channel MOS FET The part number 2SK1165 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. The SMT (Surface Mount Technology) specifications for this component are as follows:

- **Package Type**: SOP-8 (Small Outline Package, 8 pins)
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Pitch**: 1.27 mm (distance between the centers of two adjacent pins)
- **Dimensions**: Typically around 4.9 mm x 6.0 mm x 1.75 mm (length x width x height)
- **Termination**: SMD/SMT (Surface Mount Device/Surface Mount Technology)
- **Operating Temperature Range**: Usually -55°C to +150°C

These specifications are standard for surface-mount MOSFETs in an SOP-8 package. For precise details, always refer to the official datasheet provided by Toshiba.