Silicon N-Channel MOS FET The part number 2SK1162 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK1162:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 2.5A
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 80pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typ)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typ)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK1162 MOSFET.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1162 is a field-effect transistor (FET) manufactured by HITACHI. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel junction field-effect transistor (JFET)
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: 30V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -6V
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on))**: 300Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 2SK1162 JFET and are provided for reference purposes. Always consult the official datasheet for precise details.