Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SK1120 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 70ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2SK1120 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications The part 2SK1120 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance and high-speed performance. The key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 30A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.03Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SK1120 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications The part 2SK1120 is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 25W
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications The 2SK1120 is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.