Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications The part 2SK1119 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are provided for reference and are based on the manufacturer's datasheet.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) DC .DC Converter and Motor Drive Applications **Introduction to the 2SK1119 MOSFET by TOSHIBA**  

The **2SK1119** is a high-performance N-channel power MOSFET developed by **TOSHIBA**, designed for efficient switching and amplification applications. This component is engineered to deliver **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for power supply circuits, motor control, and DC-DC converters.  

With a **drain-source voltage (V_DSS)** rating of **500V** and a **continuous drain current (I_D)** of **5A**, the 2SK1119 offers robust performance in medium-power applications. Its **low gate charge** ensures reduced switching losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a **low threshold voltage**, enabling compatibility with low-voltage drive circuits.  

Packaged in a **TO-220F** form factor, the 2SK1119 provides excellent thermal dissipation, contributing to reliable operation under high-load conditions. Its **avalanche energy resistance** further improves durability in demanding environments.  

Engineers and designers favor the 2SK1119 for its **balance of performance, efficiency, and reliability**, making it a versatile choice for various power electronics applications. Whether used in industrial equipment or consumer electronics, this MOSFET demonstrates TOSHIBA's commitment to high-quality semiconductor solutions.