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2SJ326-Z from NEC

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2SJ326-Z

Manufacturer: NEC

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SJ326-Z,2SJ326Z NEC 500 In Stock

Description and Introduction

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE The 2SJ326-Z is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.04Ω (typical) at Vgs = -10V
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** -1V to -3V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on the typical values provided by NEC for the 2SJ326-Z MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE# Technical Documentation: 2SJ326Z P-Channel MOSFET

 Manufacturer : NEC  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : [Current Date]

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The 2SJ326Z is a P-Channel enhancement mode MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. Its primary use cases include:

-  Power Management Circuits : Used as load switches in battery-powered devices for power sequencing and distribution control
-  DC-DC Converters : Employed in synchronous buck converter topologies as the high-side switch
-  Motor Drive Systems : Suitable for small motor control in automotive and industrial applications
-  Audio Amplifiers : Output stage switching in Class D audio amplifiers
-  Protection Circuits : Reverse polarity protection and over-current protection systems

### 1.2 Industry Applications

#### Consumer Electronics
-  Smartphones and Tablets : Power management IC (PMIC) companion for battery isolation
-  Portable Devices : Load switching in digital cameras, portable media players
-  Laptop Computers : Power rail sequencing and battery charging circuits

#### Automotive Systems
-  Body Control Modules : Window lift motor control, seat position adjustment
-  Infotainment Systems : Power distribution to various subsystems
-  LED Lighting Control : Matrix LED driver circuits

#### Industrial Automation
-  PLC Systems : Digital output modules for actuator control
-  Sensor Interfaces : Power switching for sensor arrays
-  Motor Controllers : Small DC motor drive applications

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages
-  Low On-Resistance : RDS(on) typically 0.12Ω (max 0.18Ω) at VGS = -10V, ID = -3A
-  Fast Switching Speed : Typical turn-on delay time of 15ns, turn-off delay of 35ns
-  Low Gate Charge : Total gate charge of 15nC typical, enabling efficient high-frequency operation
-  Compact Package : TO-252 (DPAK) package offers good thermal performance in minimal space
-  Low Threshold Voltage : VGS(th) of -2.0V to -4.0V, compatible with 3.3V and 5V logic

#### Limitations
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of -30V limits high-voltage applications
-  Current Handling : Continuous drain current of -3A may require paralleling for higher current needs
-  Thermal Considerations : Maximum power dissipation of 1.5W requires proper heatsinking in continuous operation
-  ESD Sensitivity : Standard MOSFET ESD precautions required during handling

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Gate Drive Considerations
 Pitfall : Inadequate gate drive leading to excessive switching losses
 Solution : 
- Use gate driver ICs capable of delivering 1-2A peak current
- Implement proper gate resistor selection (typically 10-100Ω)
- Ensure gate drive voltage meets -10V recommendation for lowest RDS(on)

#### Thermal Management
 Pitfall : Overheating due to insufficient heatsinking
 Solution :
- Calculate power dissipation: PD = I² × RDS(on) + switching losses
- Use PCB copper area as heatsink (minimum 2cm² for DPAK package)
- Consider thermal vias for improved heat transfer to inner layers

#### Reverse Recovery
 Pitfall : Body diode reverse recovery causing shoot-through in bridge configurations
 Solution :
- Allow sufficient dead time in PWM applications (typically 100-500ns)
- Use external Schottky diodes for applications with high di/dt

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

#### Gate Driver Compatibility
-  3.3V Logic :

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