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2SH20 from TOS,TOSHIBA

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2SH20

Manufacturer: TOS

Silicon N-Channel IGBT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SH20 TOS 20 In Stock

Description and Introduction

Silicon N-Channel IGBT The part 2SH20 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
2. **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 160 V
3. **Collector-Base Voltage (VCB)**: 160 V
4. **Emitter-Base Voltage (VEB)**: 5 V
5. **Collector Current (IC)**: 15 A
6. **Base Current (IB)**: 5 A
7. **Total Power Dissipation (PT)**: 150 W (at Tc = 25°C)
8. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
9. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
10. **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 5 A, VCE = 4 V)
11. **Transition Frequency (fT)**: 10 MHz (at IC = 1 A, VCE = 10 V)
12. **Package**: TO-3P (Plastic Molded)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

Application Scenarios & Design Considerations

Silicon N-Channel IGBT # Technical Documentation: 2SH20 Power Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SH20 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in power switching and amplification circuits. Key applications include:

 Power Supply Systems 
- Switching regulators and DC-DC converters
- Linear power supply pass elements
- Voltage regulator driver stages
- Overvoltage protection circuits

 Audio Applications 
- High-fidelity audio amplifier output stages
- Public address system power amplifiers
- Professional audio equipment driver circuits

 Industrial Control 
- Motor drive circuits
- Solenoid and relay drivers
- Industrial automation control systems

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- CRT television horizontal deflection circuits (historical application)
- High-power audio systems
- Power supply units for home appliances

 Telecommunications 
- RF power amplification in transmitter circuits
- Telecom power backup systems
- Signal conditioning equipment

 Industrial Equipment 
- Motor control systems
- Power conversion equipment
- Test and measurement instrumentation

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : Supports operation up to 200V VCEO, suitable for high-voltage applications
-  Robust Construction : Designed for reliable operation in demanding environments
-  Good Thermal Characteristics : Can dissipate significant power with proper heat sinking
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power applications

 Limitations: 
-  Lower Frequency Response : Limited to audio and lower RF frequencies (typically < 30MHz)
-  Secondary Breakdown Considerations : Requires careful design to avoid secondary breakdown
-  Thermal Management : Demands adequate heat sinking for maximum power operation
-  Older Technology : May not match performance of modern MOSFETs in switching applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Pitfall : Inadequate thermal management leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper heat sinking and use thermal compensation circuits
-  Implementation : Add emitter degeneration resistors and temperature sensing

 Secondary Breakdown 
-  Pitfall : Operating outside safe operating area (SOA) causing device failure
-  Solution : Carefully analyze SOA curves and implement current limiting
-  Implementation : Use SOA protection circuits and derate operating parameters

 Storage Time Issues 
-  Pitfall : Slow switching speeds in saturation region
-  Solution : Implement Baker clamp or speed-up capacitor networks
-  Implementation : Add anti-saturation diodes and proper base drive circuits

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (typically 1/10 to 1/20 of collector current)
- Compatible with standard logic families through appropriate interface circuits
- May need level shifting for low-voltage control circuits

 Passive Component Selection 
- Base resistors must handle required power dissipation
- Decoupling capacitors should have adequate voltage ratings
- Heat sink thermal resistance must match power dissipation requirements

 System Integration 
- Compatible with standard PCB manufacturing processes
- Requires consideration of package mounting and thermal interface materials
- Must account for parasitic inductance in high-speed switching applications

### PCB Layout Recommendations

 Power Routing 
- Use wide traces for collector and emitter connections (minimum 2mm width for 3A current)
- Implement star grounding for power and signal returns
- Place decoupling capacitors close to device pins

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heat dissipation
- Use thermal vias under the device for improved heat transfer to inner layers
- Ensure proper clearance for heat sink mounting

 Signal Integrity 
- Keep base drive circuits compact and away from high-noise sources
- Route sensitive control signals separately from power traces
- Implement proper shielding for RF applications

 General Layout Guidelines 
- Maintain minimum 3mm clearance between high-voltage traces
- Use solder mask to

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