Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The 2SD601AQ is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 8A
- **Power Dissipation (Pc):** 40W
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD601AQ transistor and are used in various power amplification and switching applications.

Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The 2SD601AQ is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 3A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 1A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (at Ic = 1A, Vce = 5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.