Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The 2SD601A-R is a transistor manufactured by PANA (Panasonic). It is an NPN silicon epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1A
- **Collector Dissipation (Pc):** 0.8W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for general-purpose transistors and are suitable for low-power amplification and switching tasks.

Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The part 2SD601A-R is a transistor manufactured by PAN (Panasonic). It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1A
- Total Power Dissipation (PT): 1W
- Transition Frequency (fT): 150MHz
- DC Current Gain (hFE): 120 to 400
- Package: TO-92

These specifications are typical for the 2SD601A-R transistor as per PAN's datasheet.

Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The 2SD601A-R is a transistor manufactured by Panasonic. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.8W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is typically packaged in a TO-92 form factor.

Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The part number 2SD601A-R is a transistor manufactured by Panasonic. Here are the specifications based on the available knowledge:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 50V
- **Collector Current (Ic)**: 1A
- **Power Dissipation (Pd)**: 900mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 82 to 390 (depending on the specific model and conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in amplification and switching applications. For precise details, always refer to the official datasheet provided by Panasonic.