Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The part 2SD601A-Q is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 82 to 390 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz (at IC = 0.1A, VCE = 10V)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Panasonic for the 2SD601A-Q transistor.

Si NPN DIFFUSED JUNCTION MESA The 2SD601A-Q is a transistor manufactured by PAN (Panasonic). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 8A
- **Power Dissipation (PD)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 4A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.