Si NPN epitaxial planar. General amplifier. The 2SD601 is a silicon NPN transistor manufactured by PANASONIC. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Package:** TO-220
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 8A
- **Power Dissipation (Pc):** 40W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 3MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SD601 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

Si NPN epitaxial planar. General amplifier. The 2SD601 is a transistor manufactured by NXP Semiconductors. It is an NPN silicon epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1A
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for general-purpose transistors and are suitable for a variety of low-power applications.