NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications The 2SD600 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Power Dissipation (Pc):** 30W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on the specific model and operating conditions)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD600 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer and specific batch.

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications The 2SD600 is a transistor, but there is no specific information in Ic-phoenix technical data files indicating that it is manufactured by Philips or detailing its specifications. If you have additional context or documentation, it may help clarify the manufacturer and specifications.