NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 100V/120V, 1A Low-Frequency Power Amplifier Applications The 2SD600-K is a transistor manufactured by SANYO. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, primarily designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Total Power Dissipation (PT):** 25W
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C

The transistor is typically housed in a TO-220 package.