Silicon NPN Power Transistors The part 2SD5702 is a transistor manufactured by FAI/SEC. The specifications for this part include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD5702 transistor as provided by FAI/SEC.

Silicon NPN Power Transistors The part 2SD5702 is a transistor manufactured by SAMSUNG. It is an NPN epitaxial planar type transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is typically housed in a TO-92 package.