Silicon NPN Power Transistors TO-220C package The 2SD525 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 3A
- **Power Dissipation (P_C)**: 30W
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C
- **Storage Temperature (T_stg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 2SD525 transistor.