isc Silicon NPN Power Transistor The **2SD5072** is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring robust performance in amplification and switching circuits. With its ability to handle substantial current and voltage levels, this component is commonly utilized in power supplies, audio amplifiers, and motor control systems.  

Featuring a collector-emitter voltage (V_CE) rating of up to 120V and a collector current (I_C) capacity of 8A, the 2SD5072 ensures reliable operation under demanding conditions. Its high current gain (h_FE) and low saturation voltage contribute to efficient power management, making it suitable for both linear and switching applications.  

The transistor is housed in a TO-220 package, providing effective thermal dissipation and mechanical stability. Proper heat sinking is recommended for high-power operations to maintain optimal performance and longevity.  

Engineers and designers often select the 2SD5072 for its durability and consistent performance in industrial and consumer electronics. When integrating this component, adherence to specified operating conditions and proper circuit design is essential to maximize efficiency and prevent thermal overload.  

In summary, the 2SD5072 is a versatile and dependable power transistor, well-suited for applications where high current handling and voltage tolerance are critical.

isc Silicon NPN Power Transistor The part number 2SD5072 is a silicon NPN epitaxial planar transistor. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD5072 transistor and are used in various electronic applications requiring medium power and high-speed switching.