NPN Epitaxial Silicon Transistor The 2SD468 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Renesas Electronics. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.8W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD468 transistor and are subject to standard operating conditions.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The 2SD468 is a silicon NPN transistor manufactured by Renasa. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 20W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 20MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the information provided in Ic-phoenix technical data files.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The 2SD468 is a silicon NPN transistor manufactured by HITACHI. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60-320 (depending on operating conditions)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the typical values provided by HITACHI for the 2SD468 transistor.