SILICON EPITAXAL PLANAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD401 is a silicon NPN transistor manufactured by NEC. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. The key specifications for the 2SD401 are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)
- **Package Type:** TO-92

These specifications are based on NEC's datasheet for the 2SD401 transistor.

SILICON EPITAXAL PLANAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD401 is a silicon NPN transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 0.5A
- **Power Dissipation (Pc):** 0.8W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD401 transistor.