Si NPN diffused juction mesa. Medium power amplifier. The part 2SD389A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (now Panasonic Corporation). The key specifications for the 2SD389A transistor are as follows:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60-320

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD389A transistor.