Si NPN diffused juction mesa. Medium power amplifier. The 2SD389 is a silicon NPN transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1.5A
- **Power Dissipation (Pc)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (ft)**: 50MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD389 transistor as provided by Panasonic.