Silicon NPN Power Transistors The 2SD350A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic (PANA). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-220
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.