NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SD313 is a silicon NPN transistor manufactured by SANYO. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Power Dissipation (Pc):** 25W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz
- **Package:** TO-220

These specifications make the 2SD313 suitable for use in power amplification and switching circuits.