NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SD313 is a silicon NPN transistor manufactured by SANYO. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD313 transistor as per SANYO's datasheet.