Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) The 2SD2695 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Here are its key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE=2V, IC=0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (at VCE=10V, IC=0.5A, f=100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SD2695 transistor and are subject to variation based on operating conditions.