Power transistor for low frequency applications The 2SD2686 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 120MHz
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SD2686 transistor and are subject to variation based on operating conditions.