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2SD2672 from ROHM

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2SD2672

Manufacturer: ROHM

Low frequency amplifier

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SD2672 ROHM 261000 In Stock

Description and Introduction

Low frequency amplifier The part number 2SD2672 is a transistor manufactured by ROHM. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, typically used for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 120V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package.

Application Scenarios & Design Considerations

Low frequency amplifier # Technical Documentation: 2SD2672 NPN Bipolar Junction Transistor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SD2672 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor primarily employed in  power switching applications  and  amplification circuits  requiring robust voltage handling capabilities. Common implementations include:

-  Switching Regulators : Utilized as the main switching element in flyback and forward converters
-  Motor Control Circuits : Driving small to medium DC motors in industrial automation systems
-  Display Systems : Horizontal deflection circuits in CRT displays and plasma panels
-  Power Supply Units : Series pass elements in linear regulators and overvoltage protection circuits
-  Audio Amplifiers : Output stages in high-fidelity audio systems requiring high voltage operation

### Industry Applications
 Consumer Electronics : Television power supplies, audio/video equipment, and home appliance control systems
 Industrial Automation : Motor drives, solenoid controllers, and power management in factory equipment
 Telecommunications : Power amplification in RF circuits and base station power systems
 Automotive Electronics : Ignition systems, power window controls, and lighting drivers

### Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  High Voltage Capability : Sustains collector-emitter voltages up to 1500V
-  Robust Construction : Designed for reliable operation in demanding environments
-  Fast Switching Speed : Suitable for high-frequency switching applications
-  Good Thermal Stability : Maintains performance across operating temperature ranges

#### Limitations:
-  Moderate Current Handling : Maximum collector current of 5A may be insufficient for high-power applications
-  Heat Dissipation Requirements : Requires adequate heatsinking for continuous operation at high power levels
-  Limited Frequency Response : Not optimized for very high-frequency RF applications above 3MHz
-  Secondary Breakdown Considerations : Requires careful design to avoid voltage-induced failures

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway and device failure
-  Solution : Implement proper thermal calculations and use heatsinks with thermal resistance <2.5°C/W

 Voltage Spikes and Transients 
-  Pitfall : Unsuppressed voltage spikes exceeding VCEO rating
-  Solution : Incorporate snubber circuits and transient voltage suppression diodes

 Base Drive Insufficiency 
-  Pitfall : Insufficient base current causing saturation voltage increase
-  Solution : Ensure base drive current meets or exceeds IC/hFE(min) requirements

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires base drive circuits capable of providing sufficient current (typically 100-500mA)
- Compatible with standard driver ICs like UC3842, TL494, and discrete driver stages

 Protection Component Matching 
- Fast-recovery diodes (FR107, UF4007) recommended for inductive load protection
- Gate drive resistors should be selected based on switching speed requirements (typically 10-100Ω)

 Thermal Interface Materials 
- Use thermal compounds with conductivity >3W/mK for optimal heat transfer
- Compatible with standard TO-220 mounting hardware and insulation kits

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide copper traces (minimum 2mm width for 3A current)
- Minimize loop areas in high-current paths to reduce EMI
- Place decoupling capacitors (100nF ceramic) close to collector and emitter pins

 Thermal Management Layout 
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 6cm² per amp of collector current)
- Use thermal vias under the device tab for improved heat dissipation to inner layers
- Maintain minimum 3mm clearance between device and other heat-sensitive components

 Signal Integrity Considerations 
- Keep base drive traces short and direct to minimize inductance
- Separate high-current switching paths from sensitive control circuitry
- Implement proper

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