Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier The 2SD2655WM-TL-E is a PNP transistor manufactured by Renesas. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-323 (SC-70)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -100mA
- **Power Dissipation (PD)**: 150mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -10mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier The part 2SD2655WM-TL-E is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.