TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) The part 2SD2655 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by WM (Wuxi Microelectronics Co., Ltd.). It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications of the 2SD2655 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 120-400

This transistor is typically used in applications such as power amplification, switching, and general-purpose amplification. It is available in a TO-92 package.

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) The part number 2SD2655 is a transistor manufactured by Renesas Electronics. It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400

The transistor is typically used in applications such as switching regulators, motor drivers, and other high-speed switching circuits. It is available in a TO-92 package.