General purpose amplification (12V, 1.5A) The part 2SD2652 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE=5V, IC=1A)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)
- **Package:** TO-220F

These specifications are typical for the 2SD2652 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.