TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (DARLINGTON) HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE AND PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS The 2SD2604 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 10W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 2V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 60MHz (at VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are typical for the 2SD2604 transistor and are subject to standard manufacturing variations.