Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SD2599 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (min)
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2599 transistor as provided by TOSHIBA.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2599 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-3P
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 80W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 5A, Vce = 5V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.