Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2586 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 120V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 120V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 1.5A
- Total Power Dissipation (PT): 10W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to 150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320
- Transition Frequency (fT): 120MHz

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits defined therein.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2586 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its specifications include:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2586 transistor and are used in various electronic applications requiring high voltage and current handling capabilities.