Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2586 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V  
- **Collector Current (IC):** 1.5 A  
- **Collector Dissipation (PC):** 20 W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 5 V, IC = 0.5 A)  
- **Transition Frequency (fT):** 80 MHz (at VCE = 10 V, IC = 0.5 A)  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.