Power Device The 2SD2573 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features the following specifications:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC):** 1 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = 5 V, IC = 0.5 A)
- **Transition Frequency (fT):** 150 MHz (at VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 100 MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

Power Device The part 2SD2573 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. It is designed for use in general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SD2573 transistor and are subject to standard manufacturing variations.