Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2539 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its specifications include:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SD2539 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2539 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features a high current capability. The key specifications for the 2SD2539 transistor are as follows:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC):** 1 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT):** 120 MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = 2 V, IC = 0.5 A)

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD2539 transistor.