Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications The part 2SD2531 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by TOSHIBA. It is designed for use in low-frequency power amplification and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Base Voltage (VCBO): 60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 60V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 3A
- Collector Dissipation (PC): 25W
- Junction Temperature (Tj): 150°C
- Storage Temperature (Tstg): -55°C to +150°C
- DC Current Gain (hFE): 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 2V)
- Transition Frequency (fT): 20MHz (at IC = 0.5A, VCE = 10V)
- Package: TO-220

These specifications are typical for the 2SD2531 transistor as provided by TOSHIBA.