Power Device The 2SD2530 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SD2530 transistor.