Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SD2500 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 150 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 15 A
- **Collector Dissipation (P_C)**: 100 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320 (at I_C = 5 A, V_CE = 5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 20 MHz
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SD2500 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. It is designed for use in high-speed switching applications. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Transistor
- **Material**: Silicon
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 3 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 30 MHz

These specifications are typical for the 2SD2500 transistor as provided by TOSHIBA.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The 2SD2500 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching applications and features the following specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 1500V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V
- **Collector Current (IC):** 8A
- **Collector Dissipation (PC):** 50W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 8 to 40 (at VCE = 5V, IC = 4A)
- **Turn-On Time (ton):** 0.5µs (typical)
- **Turn-Off Time (toff):** 1.0µs (typical)
- **Package:** TO-3P

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and test environments specified therein.