Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2498 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at IC = 0.5A, VCE = 10V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions and typical values provided by Toshiba for the 2SD2498 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package Part number 2SD2498 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to 150 °C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = 5 V, IC = 0.5 A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20 MHz (at VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SD2498 transistor.

Silicon NPN Power Transistors TO-3P(H)IS package The part 2SD2498 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by KOREA. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 150V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Power Dissipation (Pc):** 20W
- **Transition Frequency (ft):** 60MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is packaged in a TO-220 form factor, which is commonly used for power transistors. It is suitable for applications requiring high voltage and current handling capabilities.