Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications The 2SD2461 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOSHIBA. Its key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (min) (at IC = 0.5A, VCE = 2V, f = 100MHz)
- **Package:** TO-220F (isolated type)

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.