Small-signal device The 2SD2459 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 120V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 15A
- **Collector Dissipation (Pc)**: 80W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at Ic = 5A, Vce = 2V)
- **Transition Frequency (ft)**: 20MHz (min)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.