Small-signal device The part 2SD2441 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 160V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 1.5A
- **Collector Dissipation (Pc):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (ft):** 30MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD2441 transistor and are used in various electronic applications requiring medium power amplification.

Small-signal device The part 2SD2441 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor manufactured by Panasonic. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 160V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at VCE = 5V, IC = 0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.